IXGP30N60C3C1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGP30N60C3C1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 220 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 220 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 220000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXGP30N60C3C1引脚图与封装图
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在线购买IXGP30N60C3C1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGP30N60C3C1 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N60C3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | 搜索库存 |
替代型号IXGP30N60C3C1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGP30N60C3C1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N60C3C1 单晶体管, IGBT, SIC, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | 当前型号 |
| 型号： STGP20NC60V 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 600V 30A 200000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGP20NC60V 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 引脚 | IXGP30N60C3C1和STGP20NC60V的区别 |