GBL02-E3/51中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.1V @4A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 SIP-4
外形尺寸
长度 20.9 mm
宽度 3.56 mm
高度 10.7 mm
封装 SIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
GBL02-E3/51引脚图与封装图
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在线购买GBL02-E3/51
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GBL02-E3/51 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4Pin Case GBL Bulk | 搜索库存 |
替代型号GBL02-E3/51
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： GBL02-E3/51 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 4-SIP | 当前型号 | Diode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4Pin Case GBL Bulk | 当前型号 |
| 型号： GBL02-E3/45 品牌： 威世 封装： 4-SIP | 完全替代 | Diode Rectifier Bridge Single 200V 4A 4Pin Case GBL Tube | GBL02-E3/51和GBL02-E3/45的区别 |
| 型号： GBL02 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： 4-SIP | 类似代替 | 桥式整流器 200V 4A Bridge Rectifier | GBL02-E3/51和GBL02的区别 |