FF900R12IP4DBOSA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 54nF @25V
额定功率Max 5100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 5100000 mW
封装 AG-PRIME2-1
封装 AG-PRIME2-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FF900R12IP4DBOSA2电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FF900R12IP4DBOSA2 | Infineon 英飞凌 | 1200V PrimePACK™2 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. | 搜索库存 |