FF900R12IP4PBOSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 54nF @25V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装 AG-PRIME2-1
封装 AG-PRIME2-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind, Commercial and Agriculture Vehicles, Solar
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
FF900R12IP4PBOSA1电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FF900R12IP4PBOSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 900A 8Pin PRIME2 | 搜索库存 |