FF900R12IP4VBOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW Tray

IGBT 模块沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 900 A 5100 W 底座安装模块

得捷:
IGBT MOD 1200V 900A 5100W

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 5100000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray

FF900R12IP4VBOSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 54nF @25V

额定功率Max 5100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 5100000 mW

封装参数

引脚数 10

封装 AG-PRIME2-1

外形尺寸

封装 AG-PRIME2-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Commercial and Agriculture Vehicles

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF900R12IP4VBOSA1引脚图与封装图

FF900R12IP4VBOSA1电路图

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