FF200R17KE3HOSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module

FF200R17KE3, SP000100775

得捷:
IGBT MOD 1700V 310A 1250W

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray

Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 310A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray

FF200R17KE3HOSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.25 kW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 18nF @25V

额定功率Max 1250 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 62MM-1

外形尺寸

封装 62MM-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Traction, Solar, Wind

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

FF200R17KE3HOSA1引脚图与封装图

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