FCH041N65EF_F155
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Fairchild
飞兆/仙童
晶体管
FCH041N65EF_F155中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 595 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 76A
输入电容Ciss 12560pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 595W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
FCH041N65EF_F155引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCH041N65EF_F155 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH041N65EF_F155 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 76 A, 650 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V 新 | 搜索库存 |