FDB8444TS

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道MOSFET PowerTrench㈢与温度传感器 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET with Temperature Sensor

N-Channel 40 V 20A Ta, 70A Tc 181W Tc Surface Mount TO-263-5

得捷:
MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5

立创商城:
N沟道 40V 70A 20A

贸泽:
MOSFET 40V N-Channel w/Temp Sensor

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

FDB8444TS中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.8 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 181 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 19.1 ns

输入电容Ciss 8410pF @25VVds

额定功率Max 181 W

下降时间 17.3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 181W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-5

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 9.4 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-263-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDB8444TS引脚图与封装图

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