FQA7N90M_F109
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA7N90M_F109中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 210W Tc
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 7A
输入电容Ciss 1880pF @25VVds
耗散功率Max 210W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA7N90M_F109引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQA7N90M_F109 | Fairchild 飞兆/仙童 | 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |