FDD6N25TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6N25TF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
输入电容 250 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6N25TF引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDD6N25TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6N25TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 250V 4.4A 900mΩ 250pF | 当前型号 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD6N25TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 250V 4.4A 900mohms 250pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 250 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V | FDD6N25TF和FDD6N25TM的区别 |