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FQD5N20LTF

FQD5N20LTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 200V 3.8A

N-Channel 200 V 3.8A Tc 2.5W Ta, 37W Tc Surface Mount TO-252AA


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N沟道 200V 3.8A


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MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK


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MOSFET 200V N-Ch LL QFET


FQD5N20LTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.80 A

通道数 1

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 325pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQD5N20LTF引脚图与封装图
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