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FQI12N60TU

FQI12N60TU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 600V 10.5A

N-Channel 600V 10.5A Tc 3.13W Ta, 180W Tc Through Hole I2PAK TO-262


立创商城:
N沟道 600V 10.5A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK


贸泽:
MOSFET


FQI12N60TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 10.5 A

漏源极电阻 700 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

输入电容 1.90 nF

栅电荷 54.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 10.5 A

上升时间 115 ns

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 85 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQI12N60TU引脚图与封装图
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