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FDAF59N30
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET

N-Channel 300 V 34A Tc 161W Tc Through Hole TO-3PF


得捷:
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF


立创商城:
N沟道 300V 34A


FDAF59N30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 34.0 A

漏源极电阻 56.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 161W Tc

输入电容 4.67 nF

栅电荷 100 nC

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

输入电容Ciss 4670pF @25VVds

额定功率Max 161 W

耗散功率Max 161W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-94

外形尺寸

封装 SC-94

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDAF59N30引脚图与封装图
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