FDS4780
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4780中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 10.8 A
漏源极电阻 8.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
输入电容 1.69 nF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.8 A
上升时间 9.00 ns
输入电容Ciss 1686pF @20VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS4780引脚图与封装图
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在线购买FDS4780
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4780 | Fairchild 飞兆/仙童 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4780
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4780 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 10.8A 8mΩ 1.69nF | 当前型号 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS4672A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 11A 13mohms 4.77nF | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDS4780和FDS4672A的区别 |
| 型号： SQ4840EY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC-8 N-Channel | 类似代替 | Mosfet, n Channel, w Diode, 40V, 20.7A, So8 | FDS4780和SQ4840EY-T1-GE3的区别 |