FDS7779Z
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS7779Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -16.0 A
通道数 1
漏源极电阻 7.2 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 3.80 nF
栅电荷 70.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3800pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS7779Z引脚图与封装图
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在线购买FDS7779Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS7779Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS7779Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS7779Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 30V 16A 7.2mΩ 3.8nF | 当前型号 | 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS7079ZN3 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V -16A 7.5mohms | 类似代替 | 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET | FDS7779Z和FDS7079ZN3的区别 |
| 型号： FDS7779Z_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | FDS7779Z和FDS7779Z_NL的区别 |