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FQI3P20TU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

P沟道 200V 2.8A

P-Channel 200 V 2.8A Tc 3.13W Ta, 52W Tc Through Hole I2PAK TO-262


得捷:
MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK


立创商城:
P沟道 200V 2.8A


贸泽:
MOSFET


FQI3P20TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -2.80 A

通道数 1

漏源极电阻 2.7 Ω

极性 P-CH

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 2.80 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQI3P20TU引脚图与封装图
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