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N沟道2.5的Vgs指定的PowerTrench MOSFET N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 550mA/0.55A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 35Ω/Ohm @5.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.6W Description & Applications| N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel -2.5V specified MOSFET uses ’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications. Features • 5.5 A, 20 V. RDSON = 35 mΩ @ VGS = 4.5 V RDSON = 51 mΩ @ VGS = 2.5 V • Low gate charge • High performance trench technology for extremely ow RDSON • Compact industry standard SC75-6 surface mount package 描述与应用| N沟道2.5 VGS指定的PowerTrench MOSFET 概述 这N沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 它已被优化的电池电源管理应用。 •5.5 A，20 V。 RDS（ON）= 35MΩ@ VGS= 4.5 V RDS（ON）= 51MΩ@ VGS= 2.5 V •低栅极电荷 •高性能沟道技术极流的RDS（ON） •紧凑型工业标准SC75-6表面贴装封装