EGP10BHE3/73中文资料参数规格
技术参数
正向电压 950mV @1A
反向恢复时间 50 ns
正向电流 1 A
正向电压Max 950mV @1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AL
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 2.7 mm
高度 2.7 mm
封装 DO-204AL
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EGP10BHE3/73引脚图与封装图
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在线购买EGP10BHE3/73
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EGP10BHE3/73 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode 1A 100V 50ns Smc | 搜索库存 |
替代型号EGP10BHE3/73
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EGP10BHE3/73 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-204 | 当前型号 | Diode 1A 100V 50ns Smc | 当前型号 |
| 型号： EGP10B-E3/73 品牌： 威世 封装： DO-204 | 完全替代 | Diode Switching 100V 1A 2Pin DO-204AL Ammo | EGP10BHE3/73和EGP10B-E3/73的区别 |
| 型号： SB1100 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Diode Schottky 100V 1A Automotive 2Pin DO-15 | EGP10BHE3/73和SB1100的区别 |
| 型号： FE1B 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | Diode: rectifying; THT; 100V; 1A; Package: Ammo Pack; DO15; 50ns | EGP10BHE3/73和FE1B的区别 |