EMD3T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMD3T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 50.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN, PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
外形尺寸
封装 EMT-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMD3T2R引脚图与封装图 
EMD3T2R引脚图
EMD3T2R封装图
EMD3T2R封装焊盘图
在线购买EMD3T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMD3T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM EMD3T2R 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率 | 搜索库存 |
替代型号EMD3T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMD3T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN 50V 50mA 150mW | 当前型号 | ROHM EMD3T2R 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率 | 当前型号 |
| 型号： EMD30T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 0.12W | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/200mA 6Pin EMT T/R | EMD3T2R和EMD30T2R的区别 |
| 型号： DCX114EH-7 品牌： 美台 封装： SOT-563 NPN+PNP 150mW | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-563 T/R | EMD3T2R和DCX114EH-7的区别 |