DG4052EEY-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
电子元器件分类
DG4052EEY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
电路数 2
耗散功率 640 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 353 MHz
封装参数
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DG4052EEY-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DG4052EEY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DG4052EEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 模拟开关 IC Dual 4 Ch Multiplxr Pd 525mW SOIC-16 | 搜索库存 |