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DG442BDY中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 900 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-16

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DG442BDY引脚图与封装图
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DG442BDY Vishay Semiconductor 威世 改进的四路SPST CMOS模拟开关 Improved Quad SPST CMOS Analog Switches 搜索库存