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DG309BDY-T1-E3

DG309BDY-T1-E3

数据手册.pdf
DG309BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 640 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 640 mW

封装参数

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC-16

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

DG309BDY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DG309BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 改进的四路CMOS模拟开关 Improved Quad CMOS Analog Switches 搜索库存