DG2517DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 320 mW
耗散功率Max 320 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MSOP-10
外形尺寸
封装 MSOP-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
DG2517DQ-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买DG2517DQ-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DG2517DQ-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 3 - Ω ，高带宽，双路SPDT模拟开关 3-Ω, High Bandwidth, Dual SPDT Analog Switch | 搜索库存 |