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DG444BDJ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 470 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 470 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-16

外形尺寸

长度 21.33 mm

宽度 7.11 mm

高度 3.81 mm

封装 DIP-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DG444BDJ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DG444BDJ Vishay Semiconductor 威世 改进的四路SPST CMOS模拟开关 Improved Quad SPST CMOS Analog Switches 搜索库存