DG442BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 900 mW
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-16
外形尺寸
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
DG442BDY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DG442BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DG442BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 改进的四路SPST CMOS模拟开关 Improved Quad SPST CMOS Analog Switches | 搜索库存 |