DG642DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 300 mW
带宽 500 MHz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 300 mW
电源电压Max 21 V
电源电压Min 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DG642DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| DG642DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Analog Switch Single SPDT 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |