DG3157BDN-T1-E4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 160 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 160 mW
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 miniQFN-6
外形尺寸
封装 miniQFN-6
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
DG3157BDN-T1-E4引脚图与封装图
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在线购买DG3157BDN-T1-E4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DG3157BDN-T1-E4 | Vishay Semiconductor 威世 | 低电压， 300 MHz的 - 3 dB带宽， SPDT模拟开关，具有掉电保护（2 ： 1多路复用器/多路解复用器总线开关） Low Voltage, 300-MHz - 3 dB Bandwidth, SPDT Analog Switch with Power Down Protection 2:1 Multiplexer/Demultiplexer Bus Switch | 搜索库存 |