CBR04C879B5GAC

KEMET Corporation(基美) 电子元器件分类

射频电容, C0G / NP0, 8.7 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

±0.1pF 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0402（1005 公制）

立创商城:
8.7pF ±0.1pF 50V

得捷:
CAP CER RF 8.7PF 50V +/-0.1 PF C

e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 8.7 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

艾睿:
Cap Ceramic 8.7pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C T/R

CBR04C879B5GAC中文资料参数规格

技术参数

电容 8.7 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CBR04C879B5GAC引脚图与封装图

CBR04C879B5GAC引脚图

CBR04C879B5GAC封装图

CBR04C879B5GAC封装焊盘图

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CBR04C879B5GAC	KEMET Corporation 基美	射频电容, C0G / NP0, 8.7 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]	搜索库存