2SK3378ENTL-E

Renesas Electronics 瑞萨电子电子元器件分类

硅N沟道MOS场效应管高速开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

Features

• Low on-resistance

RDS= 2.7Ω typ. VGS= 10 V, ID= 50 mA

RDS= 4.7Ω typ. VGS= 4 V, ID= 20 mA

• 4 V gate drive device.

• Small package CMPAK

立创商城:
2SK3378ENTL-E

得捷:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Win Source:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

2SK3378ENTL-E中文资料参数规格

封装参数

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3378ENTL-E引脚图与封装图

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