2N5582
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N5582中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-46-3
外形尺寸
封装 TO-46-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
2N5582引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5582
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5582 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-206AB | 当前型号 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5582 品牌： 美高森美 封装： TO-46 NPN | 完全替代 | TO-46 NPN 50V 0.8A | 2N5582和JANTXV2N5582的区别 |
| 型号： JAN2N5582 品牌： 美高森美 封装： TO-46 NPN | 完全替代 | TO-46 NPN 50V 0.8A | 2N5582和JAN2N5582的区别 |
