2SA1182-Y,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 500mA 200MHz 150mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin S-Mini T/R

Win Source:
TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI

2SA1182-Y,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

2SA1182-Y,LF引脚图与封装图

2SA1182-Y,LF引脚图

2SA1182-Y,LF封装焊盘图

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