2N5886
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
2N5886中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 25.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 80.0 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5886引脚图与封装图
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在线购买2N5886
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5886 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N5886
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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