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2PB1219AQ,115

2PB1219AQ,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

SC-70 PNP 50V 0.5A

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 500mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323


得捷:
NOW NEXPERIA 2PB1219AQ - SMALL S


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin SC-70 T/R


2PB1219AQ,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 85 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 85 @150mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

宽度 1.35 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2PB1219AQ,115引脚图与封装图
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