频率 120 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 40 @0.5A, 10V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2PB710ARL,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB PNP 50V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2PB710ARL,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236AB PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 50V 0.5A | 当前型号 | |
型号: 2PB710AR,115 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 PNP | 完全替代 | MPAK PNP 50V 0.5A | 2PB710ARL,215和2PB710AR,115的区别 | |
型号: 2PB710ARL,235 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 50V 0.5A | 2PB710ARL,215和2PB710ARL,235的区别 | |
型号: MSB710-RT1G 品牌: 安森美 封装: SC-59 PNP -50V -500mA | 功能相似 | PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount | 2PB710ARL,215和MSB710-RT1G的区别 |