1N5756B

Microsemi(美高森美) 分立器件

400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES

FEATURES

• ZENER VOLTAGE 4.7 TO 75V

• SMALL RUGGED DOUBLE SLUG CONSTRUCTION DO-35

• CONSTRUCTED WITH AN OXIDE PASSIVATED ALL DIFFUSED DIE

1N5756B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 900mV @10mA

稳压值 68 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AH

外形尺寸

封装 DO-204AH

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

1N5756B引脚图与封装图

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1N5756B	Microsemi 美高森美	400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES	搜索库存

替代型号1N5756B

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 1N5756B 品牌： Microsemi 美高森美封装： DO-204AH	当前型号	400MW硅齐纳二极管 SILICON 400MW ZENER DIODES	当前型号
型号： 1N5266BDO-35 品牌：美高森美封装： DO-35 68V	功能相似	DIODE ZENER 68V 0.5W1/2W DO35	1N5756B和1N5266BDO-35的区别
型号： 1N6020B 品牌：美高森美封装： DO-35-2	功能相似	稳压二极管 Voltage Regulator	1N5756B和1N6020B的区别
型号： TC68V 品牌： TAK Cheong 封装：	功能相似	DO-35 68V 0.5W1/2W	1N5756B和TC68V的区别