CL21B475KPFNFNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21B475KPFNFNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10 V
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
产品系列 High Frequency
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21B475KPFNFNE引脚图与封装图 
CL21B475KPFNFNE引脚图
CL21B475KPFNFNE封装图
CL21B475KPFNFNE封装焊盘图
在线购买CL21B475KPFNFNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21B475KPFNFNE | Samsung 三星 | 0805 4.7uF ±10% 10V X7R | 搜索库存 |
替代型号CL21B475KPFNFNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21B475KPFNFNE 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4.7uF 10V ±10% | 当前型号 | 0805 4.7uF ±10% 10V X7R | 当前型号 |
| 型号： CL21B475KOFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7µF 16V ±10% | 功能相似 | 材质：X7R | CL21B475KPFNFNE和CL21B475KOFNNNE的区别 |
| 型号： CL21B475KAFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7µF ±10% 25V X7R | 功能相似 | CL21 系列 0805 4.7 uF 25 V X7R ±10% 容差 多层陶瓷电容 | CL21B475KPFNFNE和CL21B475KAFNNNE的区别 |
| 型号： CL21B475KPFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7µF 10V ±10% | 功能相似 | CL21 系列 0805 4.7 uF 10 V ±10% X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL21B475KPFNFNE和CL21B475KPFNNNE的区别 |