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CPV362M4K中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 0.45nF @30V

额定功率Max 23 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 13

封装 SIP-19

外形尺寸

封装 SIP-19

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CPV362M4K引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CPV362M4K Vishay Semiconductor 威世 Trans IGBT Module N-CH 600V 5.7A 13Pin IMS-2 搜索库存