锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CIG22L6R8MNE

CIG22L6R8MNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CIG 系列 2520 6.8 uH 20 % 0.8 A SMD 屏蔽 功率电感

6.8µH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203mOhm 1008 2520 Metric


得捷:
FIXED IND 6.8UH 800MA 203MOHM SM


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 203mOhm DCR 1008 T/R


安富利:
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 1008 Embossed T/R


富昌:
CIG 系列 2520 6.8 uH 20 % 0.8 A SMD 屏蔽 功率电感


Chip1Stop:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 203mOhm DCR 1008 Embossed T/R


Verical:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 203mOhm DCR 1008 T/R


Win Source:
6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 2520 Metric


CIG22L6R8MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 800 mA

容差 ±20 %

电感 6.8 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 203 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

高度 1 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CIG22L6R8MNE引脚图与封装图
CIG22L6R8MNE引脚图

CIG22L6R8MNE引脚图

CIG22L6R8MNE封装图

CIG22L6R8MNE封装图

CIG22L6R8MNE封装焊盘图

CIG22L6R8MNE封装焊盘图

在线购买CIG22L6R8MNE
型号 制造商 描述 购买
CIG22L6R8MNE Samsung 三星 CIG 系列 2520 6.8 uH 20 % 0.8 A SMD 屏蔽 功率电感 搜索库存