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CIG21W3R3MNE

CIG21W3R3MNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CIG 系列 2012 3.3 uH 20 % 0.73 A SMD 屏蔽 功率电感

3.3µH Shielded Multilayer Inductor 730mA 250mOhm 0805 2012 Metric


得捷:
FIXED IND 3.3UH 730MA 250MOHM SM


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 20% 1MHz Ferrite 730mA 250mOhm DCR 0805 T/R


安富利:
POWER INDUCTOR, NORMAL, 0805INCH, 20%, 7" EMBOSSED TYPE


富昌:
CIG 系列 2012 3.3 uH 20 % 0.73 A SMD 屏蔽 功率电感


Win Source:
FIXED IND 3.3UH 730MA 250MOHM SM / 3.3 µH Shielded Multilayer Inductor 730 mA 250mOhm 0805 2012 Metric


CIG21W3R3MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 730 mA

容差 ±20 %

电感 3.3 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 250 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CIG21W3R3MNE引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CIG21W3R3MNE Samsung 三星 CIG 系列 2012 3.3 uH 20 % 0.73 A SMD 屏蔽 功率电感 搜索库存