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CIG22E1R0MNE

CIG22E1R0MNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

1008 1uH ±20%

CIG series 1008 case size 1UH 2.2A Chip Inductor


得捷:
FIXED IND 1UH 2.9A 48 MOHM SMD


艾睿:
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz 2.3A 48mOhm DCR 1008 T/R


安富利:
Ind Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz 2.2A 1008 Embossed T/R


Verical:
Inductor Power Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz 2.3A 0.048Ohm DCR 1008 T/R


Win Source:
FIXED IND 1UH 2.3A 48 MOHM SMD


CIG22E1R0MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.9 A

容差 ±20 %

电感 1 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 90 mΩ

电阻DC Max 48 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

高度 1 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CIG22E1R0MNE引脚图与封装图
CIG22E1R0MNE引脚图

CIG22E1R0MNE引脚图

CIG22E1R0MNE封装图

CIG22E1R0MNE封装图

CIG22E1R0MNE封装焊盘图

CIG22E1R0MNE封装焊盘图

在线购买CIG22E1R0MNE
型号 制造商 描述 购买
CIG22E1R0MNE Samsung 三星 1008 1uH ±20% 搜索库存
替代型号CIG22E1R0MNE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CIG22E1R0MNE

品牌: Samsung 三星

封装: 1008 1uH

当前型号

1008 1uH ±20%

当前型号

型号: SRP2512-1R0M

品牌: 伯恩斯

封装: 1uH 3.4A

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