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CIH03T8N2JNC

CIH03T8N2JNC

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

0201 8.2nH ±5%

8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 550mOhm Max 0201 0603 Metric


得捷:
FIXED IND 8.2NH 150MA 550MOHM SM


艾睿:
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 150mA 550mOhm DCR 0201 T/R


安富利:
Ind High Frequency Chip Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 150mA 0201 Paper T/R


Verical:
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0082uH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 0.15A 0.55Ohm DCR 0201 T/R


CIH03T8N2JNC中文资料参数规格
技术参数

额定电流 150 mA

容差 ±5 %

电感 0.0082 µH

自谐频率 3.4 GHz

产品系列 CIH

电感公差 ±5 %

测试频率 100 MHz

电阻DC） ≤550 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 0.55 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 0603

封装 0201

外形尺寸

长度 0.6 mm

宽度 0.3 mm

高度 0.33 mm

封装公制 0603

封装 0201

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 10000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CIH03T8N2JNC引脚图与封装图
CIH03T8N2JNC引脚图

CIH03T8N2JNC引脚图

CIH03T8N2JNC封装图

CIH03T8N2JNC封装图

CIH03T8N2JNC封装焊盘图

CIH03T8N2JNC封装焊盘图

在线购买CIH03T8N2JNC
型号 制造商 描述 购买
CIH03T8N2JNC Samsung 三星 0201 8.2nH ±5% 搜索库存
替代型号CIH03T8N2JNC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CIH03T8N2JNC

品牌： Samsung 三星

封装： 0201（0603 8.2nH

当前型号

0201 8.2nH ±5%

当前型号

型号： L0201C8N2JRMST

品牌： 基美

封装： 8.2nH 150mA

功能相似

0201 8.2nH ±5% 150mA

CIH03T8N2JNC和L0201C8N2JRMST的区别

型号： MLG0603S8N2J

品牌： 东电化

封装： 0201 8.2nH 3.2GHz

功能相似

MLG 系列 0201 6.2 nH 5% 200 mA SMD 高频 屏蔽 多层 电感

CIH03T8N2JNC和MLG0603S8N2J的区别