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CL10C221GB8NNNC

CL10C221GB8NNNC

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CL10 系列 0603 220 pF 50 V ±2% 容差 C0G 多层陶瓷电容

贴片 0603 C0G 221G220pF 50V ±2% 厚度0.8mm


得捷:
CAP CER 220PF 50V C0G/NP0 0603


艾睿:
Cap Ceramic 220pF 50V C0G 2% SMD 0603 125


富昌:
CL10 系列 0603 220 pF 50 V ±2% 容差 C0G 多层陶瓷电容


Verical:
Cap Ceramic 220pF 50V C0G 2% Pad SMD 0603 125C T/R


CL10C221GB8NNNC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 220 pF

容差 ±2 %

电介质特性 C0G/NP0

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL10C221GB8NNNC引脚图与封装图
CL10C221GB8NNNC引脚图

CL10C221GB8NNNC引脚图

CL10C221GB8NNNC封装图

CL10C221GB8NNNC封装图

CL10C221GB8NNNC封装焊盘图

CL10C221GB8NNNC封装焊盘图

在线购买CL10C221GB8NNNC
型号 制造商 描述 购买
CL10C221GB8NNNC Samsung 三星 CL10 系列 0603 220 pF 50 V ±2% 容差 C0G 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL10C221GB8NNNC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL10C221GB8NNNC

品牌: Samsung 三星

封装: 0603 220pF ±2% 50V C0G/NP0

当前型号

CL10 系列 0603 220 pF 50 V ±2% 容差 C0G 多层陶瓷电容

当前型号

型号: CL10C221GB8NCNC

品牌: 三星

封装: 0603 220pF ±2% 50V C0G/NP0

完全替代

Cap Ceramic 220pF 50V C0G 2% SMD 0603 125℃ Cardboard T/R

CL10C221GB8NNNC和CL10C221GB8NCNC的区别

型号: CL10C221JB8NNNC

品牌: 三星

封装: 0603 220pF 50V 5per

类似代替

Samsung 0603 C0G/X5R MLCC 系列卷装高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合)。 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 陶瓷表面安装 0603

CL10C221GB8NNNC和CL10C221JB8NNNC的区别

型号: 0603N221G500CG

品牌: 台湾华科

封装:

类似代替

Cap Ceramic 220pF 50V C0G 2% Pad SMD 0603 125C T/R

CL10C221GB8NNNC和0603N221G500CG的区别