CL21A475KQCLNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21A475KQCLNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.3 V
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
产品系列 Low profile
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 6.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.85 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 0.85 mm
物理参数
材质 X5R/-55℃~+85℃
工作温度 -55℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21A475KQCLNNC引脚图与封装图 
CL21A475KQCLNNC引脚图
CL21A475KQCLNNC封装图
CL21A475KQCLNNC封装焊盘图
在线购买CL21A475KQCLNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21A475KQCLNNC | Samsung 三星 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 搜索库存 |
替代型号CL21A475KQCLNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21A475KQCLNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4.7uF 6.3V ±10% | 当前型号 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 当前型号 |
| 型号： CL21A475KQFNNNG 品牌： 三星 封装： 0805 4.7uF 6.3V ±10% | 完全替代 | CL21系列 0805 4.7 uF 6.3 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容 | CL21A475KQCLNNC和CL21A475KQFNNNG的区别 |
| 型号： CL21A475KOFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7uF 16V 10per | 功能相似 | CL21系列 0805 4.7 uF 16 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容 | CL21A475KQCLNNC和CL21A475KOFNNNE的区别 |
| 型号： CL21B475KOFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7µF 16V ±10% | 功能相似 | 材质：X7R | CL21A475KQCLNNC和CL21B475KOFNNNE的区别 |