CL21B334KBFNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21B334KBFNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 0.33 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
精度 ±10 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CL21B334KBFNNNE引脚图与封装图 
CL21B334KBFNNNE引脚图
CL21B334KBFNNNE封装图
CL21B334KBFNNNE封装焊盘图
在线购买CL21B334KBFNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21B334KBFNNNE | Samsung 三星 | CL21 系列 0805 0.33 uF 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21B334KBFNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21B334KBFNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 330nF 50V ±10% | 当前型号 | CL21 系列 0805 0.33 uF 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CC0805KKX7R9BB334 品牌： 国巨 封装： 0805 330nF 50V 10per | 完全替代 | 0805 0.33 uF 50 V ±10% 容差 X7R 多层 陶瓷 贴片 电容 | CL21B334KBFNNNE和CC0805KKX7R9BB334的区别 |
| 型号： 0805B334K500CT 品牌： 台湾华科 封装： 330nF 50V 10per | 类似代替 | WALSIN 0805B334K500CT 多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0.33 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0805 [2012 公制] | CL21B334KBFNNNE和0805B334K500CT的区别 |
| 型号： CL21B334KBF4PNF 品牌： 三星 封装： 0805 | 类似代替 | Samsung 0805 MLCC seriesGeneral Multilayer Ceramic Chip CapacitorsHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner Product code C is suitable. For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CL21B334KBFNNNE和CL21B334KBF4PNF的区别 |