CL10F474ZB8NNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL10F474ZB8NNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.47 µF
容差 +80/-20%
电介质特性 Y5V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -30 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 1608
封装 0603
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.8 mm
封装公制 1608
封装 0603
厚度 0.8 mm
物理参数
材质 Y5V/-30℃~+85℃
工作温度 -30℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL10F474ZB8NNNC引脚图与封装图 
CL10F474ZB8NNNC引脚图
CL10F474ZB8NNNC封装图
CL10F474ZB8NNNC封装焊盘图
在线购买CL10F474ZB8NNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL10F474ZB8NNNC | Samsung 三星 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 搜索库存 |
替代型号CL10F474ZB8NNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL10F474ZB8NNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0603 470nF 50V +80/ 20% | 当前型号 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 当前型号 |
| 型号： CL21F474ZBFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 470nF 50V +80/ 20% | 完全替代 | CL21 系列 0805 0.47 uF 50 V -20 % +80 Y5V SMD 多层陶瓷电容 | CL10F474ZB8NNNC和CL21F474ZBFNNNE的区别 |
| 型号： CL31F474ZBCNNNC 品牌： 三星 封装： 1206 470nF 50V +80/ 20% | 功能相似 | Samsung 1206 MLCC series reels### 1206 系列C0G NP0 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料 X7R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料 Y5V 配方为有限温度范围内的一般用途材料。这些特征使得 Y5V 非常适合去耦应用。 | CL10F474ZB8NNNC和CL31F474ZBCNNNC的区别 |
| 型号： GRM219F51H474ZA01D 品牌： 村田 封装： 0805 470nF 50V 80 20per | 功能相似 | Murata GRM 0805 X5R、X7R 和 Y5V 电介质Murata GRM 系列高介电常数类型尺寸小，电容值大，采用多层结构 高可靠性，无极性 通过在外部电极镀锡实现出色的可焊接性 去耦平滑电路和高于 200V 额定电压的钳减震器电路中的应用 ### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是最受欢迎的温度补偿方案，EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为温度稳定陶瓷且使用 EIA II 级材料；Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围，EIA II 级材料；这些特性十分适用于去耦应用。 | CL10F474ZB8NNNC和GRM219F51H474ZA01D的区别 |