CBR08C109ACGAC

KEMET Corporation(基美) 电子元器件分类

射频电容, C0G / NP0, 1 pF, 500 V, HiQ-CBR Series, ± 0.05pF, 125 °C, 0805 [2012公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 1 pF, +/-0.05 pF, 500 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0805

得捷:
CAP CER 1PF 500V C0G/NP0 0805

立创商城:
1pF ±0.05pF 500V

e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 1 pF, 500 V, HiQ-CBR Series, ± 0.05pF, 125 °C, 0805 [2012公制]

艾睿:
Cap Ceramic 1pF 500V C0G 0.05pF Pad SMD 0805 125°C Low ESR Medical T/R

Verical:
Cap Ceramic 1pF 500V C0G 0.05pF Pad SMD 0805 125C Low ESR Medical T/R

CBR08C109ACGAC中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

电容 1 pF

容差 ±0.05 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 500 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.85 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CBR08C109ACGAC引脚图与封装图

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CBR08C109ACGAC	KEMET Corporation 基美	射频电容, C0G / NP0, 1 pF, 500 V, HiQ-CBR Series, ± 0.05pF, 125 °C, 0805 [2012公制]	搜索库存