CPH3327-TL-E

Sanyo Semiconductor 三洋分立器件

MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3

Features · Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive.

得捷:
MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3

CPH3327-TL-E中文资料参数规格

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -100V

最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage 20V

最大漏极电流IdDrain Current -0.6A

源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 1.1Ω @-300mA,-10V

开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage -1.2--2.6V

耗散功率PdPower Dissipation 1W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CPH3327-TL-E引脚图与封装图

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