CD4502BME4
TI
德州仪器
主动器件
CD4502BME4中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.00V ~ 18.0V
输出接口数 6
通道数 6
位数 6
传送延迟时间 380 ns
电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V
耗散功率 100 mW
输出电流驱动 -167 µA
输入数 6
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
电源电压 3V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CD4502BME4引脚图与封装图 
CD4502BME4引脚图
CD4502BME4封装图
CD4502BME4封装焊盘图
在线购买CD4502BME4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CD4502BME4 | TI 德州仪器 | 缓冲器和线路驱动器 CMOS Strobed Hex Inverter/Buffer | 搜索库存 |
替代型号CD4502BME4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CD4502BME4 品牌： TI 德州仪器 封装： 16-SOIC 3V to 18V 16Pin | 当前型号 | 缓冲器和线路驱动器 CMOS Strobed Hex Inverter/Buffer | 当前型号 |
| 型号： CD4502BM96 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 3V to 18V 16Pin | 完全替代 | CMOS选通六反相器/缓冲器 CMOS Strobed Hex Inverter/Buffer | CD4502BME4和CD4502BM96的区别 |
| 型号： CD4502BM 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 3V to 18V 16Pin | 类似代替 | 4000 系列反相器和缓冲器，Texas InstrumentsTexas Instruments 的 4000 系列 CMOS 逻辑系列的一系列反相器和缓冲器### 4000 CMOS 逻辑系列，Texas InstrumentsCMOS 系列设备 宽工作电压范围：3 至 18V | CD4502BME4和CD4502BM的区别 |
| 型号： CD4502BM96G4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 3V to 18V 16Pin | 类似代替 | Buffer/Driver 6CH Inverting 3-ST CMOS 16Pin SOIC T/R | CD4502BME4和CD4502BM96G4的区别 |