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CD40107BME4

CD40107BME4

TI 德州仪器 主动器件
CD40107BME4中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.00V ~ 18.0V

输出接口数 1

输出电流 136 mA

电路数 2

位数 2

传送延迟时间 200 ns

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V

逻辑门个数 2

输入数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电源电压 3V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CD40107BME4引脚图与封装图
CD40107BME4引脚图

CD40107BME4引脚图

CD40107BME4封装图

CD40107BME4封装图

CD40107BME4封装焊盘图

CD40107BME4封装焊盘图

在线购买CD40107BME4
型号 制造商 描述 购买
CD40107BME4 TI 德州仪器 NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC Tube 搜索库存
替代型号CD40107BME4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CD40107BME4

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 3V to 18V 8Pin

当前型号

NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC Tube

当前型号

型号: CD40107BMT

品牌: 德州仪器

封装: 8SOIC 3V to 18V 8Pin

完全替代

CMOS双路2输入与非缓冲器/驱动器 CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER

CD40107BME4和CD40107BMT的区别

型号: CD40107BMTG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 3V to 18V 8Pin

完全替代

逻辑门 CMOS Dual 2-Input NAND Buffer/Driver

CD40107BME4和CD40107BMTG4的区别

型号: CD40107BM96G4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 3V to 18V 8Pin

完全替代

NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC T/R

CD40107BME4和CD40107BM96G4的区别