
电源电压DC 3.00V ~ 18.0V
输出接口数 1
输出电流 136 mA
电路数 2
位数 2
传送延迟时间 200 ns
电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V
逻辑门个数 2
输入数 2
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
电源电压 3V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

CD40107BME4引脚图

CD40107BME4封装图

CD40107BME4封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
CD40107BME4 | TI 德州仪器 | NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: CD40107BME4 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 3V to 18V 8Pin | 当前型号 | NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC Tube | 当前型号 | |
型号: CD40107BMT 品牌: 德州仪器 封装: 8SOIC 3V to 18V 8Pin | 完全替代 | CMOS双路2输入与非缓冲器/驱动器 CMOS DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER | CD40107BME4和CD40107BMT的区别 | |
型号: CD40107BMTG4 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 3V to 18V 8Pin | 完全替代 | 逻辑门 CMOS Dual 2-Input NAND Buffer/Driver | CD40107BME4和CD40107BMTG4的区别 | |
型号: CD40107BM96G4 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 3V to 18V 8Pin | 完全替代 | NAND Gate 2Element 2IN CMOS 8Pin SOIC T/R | CD40107BME4和CD40107BM96G4的区别 |