CY7C2644KV18-300BZI中文资料参数规格
技术参数
时钟频率 300 MHz
位数 36
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
CY7C2644KV18-300BZI引脚图与封装图
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在线购买CY7C2644KV18-300BZI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C2644KV18-300BZI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟）与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency with ODT | 搜索库存 |
替代型号CY7C2644KV18-300BZI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C2644KV18-300BZI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟）与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency with ODT | 当前型号 |
| 型号： CY7C2644KV18-333BZI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 144 - Mbit的QDR® II SRAM双字突发架构（ 2.0周期读延迟）与ODT 144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency with ODT | CY7C2644KV18-300BZI和CY7C2644KV18-333BZI的区别 |